創(chuàng)建了產品的組成結構信息后，點擊PosVim軟件界面上方的{設計分析}中{可靠性預計}模塊圖標，即可進行可靠性預計，如圖3-1所示。
PosVim提供了工程常用的可靠性預計標準，包括GJB299C、SR332、NSWC等多個電子、機械元件的可靠性預計標準。選擇可靠性預計標準時，需要根據用戶方要求或者可靠性預計工作要求確定具體使用哪個標準進行可靠性預計。
3.2.1 模塊A的可靠性預計操作示例
可靠性預計一般是從最底層的元器件開始進行可靠性預計?。〖僭O從模塊A的元器件進行可靠性預計開始，逐層進行可靠性預計。具體操作步驟：
準備工作：打開一個項目，參考2.5.2節(jié)手工添加“模塊A”和“模塊B”，以及“2CE52” 等元器件節(jié)點（注：若已添加，可跳過此操作）。
步驟1：在產品結構樹窗口中，點擊“模塊A”節(jié)點。此時的界面如下圖3-1所示。界面的左邊是產品結構樹，中間部分顯示的是當前選中節(jié)點“模塊A”的所有子節(jié)點列表，下方是元器件可靠性預計輸入參數窗口。
步驟2：在軟件界面的中間部分的節(jié)點列表中，雙擊需要進行可靠性預計的節(jié)點。例如，雙擊“2CE52”節(jié)點，下方彈出該節(jié)點需要輸入的可靠性預計參數。
步驟3：依次選擇可靠性預計方法、環(huán)境、子類別參數，環(huán)境、子類別的選項，是與可靠性預計標準/方法關聯的，即選擇不同的可靠性預計標準/方法時，可以選擇的環(huán)境類別、子類別參數選項是不同的。GJB299C、SR332、NSWC等標準的各類元件可靠性預計參數說明，可參閱相應標準。假設預計方法選擇“GJB299C應力法”、環(huán)境選擇“GB地面良好”，子類選擇“普通硅二極管”。如圖3-2所示。
步驟4： 選擇了預計方法/標準、環(huán)境類別、子類后，將會根據您選擇的選項，彈出對應的可靠性預計參數需要您輸入。例如，“2CE52”二極管需要輸入質量等級、工作溫度等參數。如圖3-2所示。
步驟5：錄入元件的可靠性預計參數后，點擊參數錄入窗口上方的【計算】 按鈕，即可計算得到該元件的可靠性預計結果。如圖3-3所示。
圖3-1 打開可靠性預計
圖3-2 可靠性預計參數錄入
圖3-3 可靠性預計結果查看
步驟6： 按照同樣的操作方法，完成模塊A和模塊B下的元件可靠性預計。即可得到模塊A和模塊B的可靠性預計結果。要查看根節(jié)點“XXX系統”的可靠性預計結果，在左邊的產品結構樹界面點擊“XXX系統”即可看到。若沒看到結果，選中“XXX系統”后，點擊工具欄上方的
圖標即可。
3.2.2 控制器的元器件可靠性預計操作示例
現需要對伺服控制器的電路板組件進行可靠性預計。操作步驟如下：
步驟1：登錄并打開PosVim軟件
步驟2： 點擊項目管理，新建一個空項目，項目名稱命名為“控制器”，并打開該項目。
步驟3：在產品結構樹添加一個根節(jié)點，名稱為控制器，類型選擇模塊。（操作方法，可參考2.5.3節(jié)的產品結構樹創(chuàng)建操作）。
步驟4： 分別在控制器節(jié)點下增加兩個子節(jié)點。其中一個器件名稱輸入FC20316，類型選擇微電路；一個器件名稱輸入RJ10K，類型選擇固定電阻器。
步驟5：點擊{可靠性預計}模塊，切換到可靠性預計界面。并選中控制模塊節(jié)點。
步驟6：選中FC20316節(jié)點，在軟件界面的下方的預計參數錄入界面，預計方法選擇：GJB/Z 299C應力法，環(huán)境選擇：GB 地面良好，子類別選擇：微處理器，質量等級選擇：C2，電路類型選擇：MOS,封裝形式選擇：密封扁平（FP）封裝，結溫輸入65，管腿數輸入16，晶體管數輸入100，電源電壓輸入12。然后點擊預計參數錄入界面的
圖標，即可計算得到該器件的失效率。
步驟7： 選中RJ10K節(jié)點，在軟件界面的下方的預計參數錄入界面，預計方法選擇：GJB/Z 299C應力法，環(huán)境選擇：GB 地面良好，子類別選擇：金屬膜電阻器，質量等級輸入C，工作環(huán)境溫度輸入45，額定溫度125，功率應力比輸入0.7，阻值范圍選擇R≤100KΩ。然后點擊預計參數錄入界面的 圖標，即可計算得到該器件的失效率。
